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벗김 전압전류법에 의한 오스뮴 정량
Stripping Voltammetric Determination of Osmium
분석과학 / Analytical Science and Technology, (P)1225-0163; (E)2288-8985
1997, v.10 no.2, pp.114-118
권영순,
김소진,
&
채명준.
(1997). 벗김 전압전류법에 의한 오스뮴 정량. 분석과학, 10(2), 114-118.
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초록
히드록실아민 존재하에서 오스뮴(IV)의 벗김 전압전류법적 정량법을 연구하였다. 가장 좋은 조건은 다음과 같다: 히드록실아민 0.05M, pH 1.8, 누적전위 -0.65V, 누적시간 60초, 주사속도 10mV/s. 이 조건에서 검출한계는 <TEX>$6.3{\times}10^{-8}M$</TEX>이었으며, 검량선의 직선성이 성립하는 오스뮴의 농도 범위는 <TEX>$10^{-4}{\sim}10^{-7}M$</TEX>이었다. 유사한 매질에서 같은 족인 루테늄이 촉매 수소파를 주는데 비해 오스뮴은 촉매성이 전혀 없는 확산 지배성 전류를 주었다.
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- Adsorptive accumulation, Stripping voltammetry, Osmium
Abstract
A stripping voltammetric scheme for the determination of osmium, based on the adsorptive accumulation of osmium in the presence of hydroxylamine, was described. Cyclic voltammetry was used to characterize the redox and interfacial processes. Optimal experimental conditions were found to be a stirred 0.05M hydroxylamine hydrochloride solution(pH 1.8), accumulation at -0.65V for 60s, and a differential pulse mode with a scan rate of 10mV/s. The detection limit was <TEX>$6.3{\times}10^{-8}M$</TEX>(12ppb) with the optimal condition.
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- Adsorptive accumulation, Stripping voltammetry, Osmium
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