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  • P-ISSN1225-0163
  • E-ISSN2288-8985
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5권 2호
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Ti-silicide 박막 형성시 규소 기판에 이온 주입된 붕소 거동에 대한 SIMS 분석

SIMS analysis of the behavior of boron implanted into single silicon during the Ti-silicide formation

분석과학 / Analytical Science and Technology, (P)1225-0163; (E)2288-8985
1992, v.5 no.2, pp.199-202
황유상
백수현
조현춘
마재평
최진석
강성건
황유상, 백수현, 조현춘, 마재평, 최진석, & 강성건. (1992). Ti-silicide 박막 형성시 규소 기판에 이온 주입된 붕소 거동에 대한 SIMS 분석. 분석과학, 5(2), 199-202.
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초록

<TEX>$BF_2$</TEX>를 50keV, 90keV로 에너지를 달리하여 주입한 실리콘 기판에 타이타늄을 sputter하여 Ti-slicide를 형성한 시편과 composite target을 사용하여 Ti-silicide를 형성한 시편을 준비하였다. Ti-silicide 형성시 boron의 거동을 SIMS(secondary ion mass spectrometry)로 분석하였다. Metal-Ti target을 사용한 경우 Ti-silicide 형성시 불순물들이 재분포하였으며 이온 주입 에너지가 작은 경우 심한 out-diffusion이 발생하였다. 한편 Composite target을 사용한 경우 거의 재분포가 발생하지 않고 안정된 boron의 분포를 보였다.

keywords
Titanium silicide, SIMS, silicon substrate

Abstract

Ti-silicide was formed by using metal-Ti target and composite target on the silicon substrate that <TEX>$BF_2$</TEX> were introduced into. Implant energies of <TEX>$BF_2$</TEX> were 50keV and 90keV. The behavior of boron was investigated by SIMS. The redistribution of boron occurred during the formation of Ti-silicide by metal-Ti target and the sample implanted at the energy of 50keV showed severe out-diffusion. In the case that Ti-silicide was formed by composite target, there was little redistribution of boron.

keywords
Titanium silicide, SIMS, silicon substrate


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