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  • P-ISSN1225-0163
  • E-ISSN2288-8985
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5권 4호
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반도체 사진공정에서 실리콘 웨이퍼 위의 Silylated Resist의 Fourier 변환 적외선 분광분석

Fourier Transform Infrared Spectroscopic Analysis of the Silylated Resist on Silicon Wafers in Semiconductor Lithographic Process

분석과학 / Analytical Science and Technology, (P)1225-0163; (E)2288-8985
1992, v.5 no.4, pp.455-464
강성철
김수종
손민영
박춘근
강성철, 김수종, 손민영, & 박춘근. (1992). 반도체 사진공정에서 실리콘 웨이퍼 위의 Silylated Resist의 Fourier 변환 적외선 분광분석. 분석과학, 5(4), 455-464.
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초록

본 논문에서는 FT-IR 분광분석법을 이용하여 여러 가지 반응조건에서 기체상 silylation 반응에 의해 생성된 silylated layer의 depth를 비파괴적으로 정량하는 방법을 제안하였다. Silylated layer의 depth는 FT-IR 스펙트럼의 특성 봉우리들(Si-O-ph, Si-C, Si-H)의 흡광도를 바탕 스펙트럼 공제법으로 측정하여 SEM의 두께 측정치와 비교하여 정량하였다. FT-IR 분광분석법을 이용한 Silylated layer의 depth 분석은 비파괴적이고 정량적인 방법으로, 이 방법은 silylation process window를 설정하는 데 적합하다는 것을 알았다.

keywords
silylation, FT-IR, gas phase silylation

Abstract

Using FT-IR, we determined the depth of silylated layers produced from various gas-phase-silylation conditions was proposed by using Fourier Transform Infrared (FT-IR) spectroscopic analysis. The depth of silylated layer was determined from absorbance measurments of the significant peaks (Si-O-ph, Si-C, Si-H) of FT-IR spectra with background spectrum subtraction method. And the results were compared with thickness measurments of SEM. The results were well agree with SEM. It found to be well suited for determining silylation process window.

keywords
silylation, FT-IR, gas phase silylation


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