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  • P-ISSN1225-0163
  • E-ISSN2288-8985
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14권 6호
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SIMS 분석조건이 Bismuth Titanate 박막의 깊이방향 조성 해석에 미치는 영향

Effect of Surface Charging on the SIMS Depth Profile of Bismuth Titanate Thin Film

분석과학 / Analytical Science and Technology, (P)1225-0163; (E)2288-8985
2001, v.14 no.6, pp.486-493
김재남
이상업
권혁대
신광수
전웅
박병옥
조상희
김재남, 이상업, 권혁대, 신광수, 전웅, 박병옥, & 조상희. (2001). SIMS 분석조건이 Bismuth Titanate 박막의 깊이방향 조성 해석에 미치는 영향. 분석과학, 14(6), 486-493.
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초록

본 연구는 SIMS를 이용한 bismuth titanate 박막의 깊이방향 분석에 있어서 mesh grid를 사용한 경우와 사용하지 않은 경우, offset voltage를 사용한 경우와 사용하지 않은 경우 등 분석조건에 따른 charging effect 그리고 검출한계의 특성을 검토하고자 하였다. 결과에 따르면 -40 V의 offset voltage를 사용하였을 경우는 charging effect의 감소는 물론 검출한계도 낮출 수 있었으나 mesh grid를 사용하였을 경우에는 charging effect는 다소 줄일 수 있었으나 반면 검출 한계는 오히려 높아졌다. O- 일차이온을 적용한 경우는 -40 V의 offset voltage를 사용하였을 때와 동일한 효과를 얻을 수 있었다.

keywords
SIMS, bismuth titanate, FRAM, charging effect, depth profile

Abstract

The effect of SIMS analysis conditions such as mesh grid, offset voltage and ion species on the in-depth profile for bismuth titanate thin film was examined in terms of charging effect and detection limit. The results shows that the use of offset voltage -40 V reduces the charging effect and the detection limit. The employment of mesh grid in sample preparation leads to the reduction of the charging effect in small amount, but deteriorate the detection limit. Utilization of primary <TEX>$O^-$</TEX> ion for SIMS analysis of bismuth titanate thin film showed almost the same effect as using offset voltage -40 V. However, it takes approximately triple acquisition time than using <TEX>$O_2{^+}$</TEX> ion due to the poor beam current of the source in the experiment.

keywords
SIMS, bismuth titanate, FRAM, charging effect, depth profile


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