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  • 한국과학기술정보연구원(KISTI) 서울분원 대회의실(별관 3층)
  • 2024년 07월 03일(수) 13:30
 

  • P-ISSN1225-0163
  • E-ISSN2288-8985
  • SCOPUS, ESCI, KCI

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  • P-ISSN 1225-0163
  • E-ISSN 2288-8985

투과전자현미경을 이용한 GaAs의 면결함 구조 연구

Transmission Electron Microscopy of GaAs Planar Defects

분석과학 / Analytical Science and Technology, (P)1225-0163; (E)2288-8985
1992, v.5 no.1, pp.121-126
조남희
홍국선
C.B. Cater
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초록

GaAs <TEX>${\Sigma}

keywords
Transmission electron microscopy, GaAs, Planar defects

Abstract

Transmission electron microscopy was used to investigate the structure of GaAs <TEX>${\Sigma}

keywords
Transmission electron microscopy, GaAs, Planar defects


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