Effect of NaBH4 and HCI on signal intensity of As,Se,Ge with on-line hydride generation system and E-O-V ICP-AES

남상호; 한성심

P-ISSN1225-0163
E-ISSN2288-8985
SCOPUS, ESCI, KCI

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P-ISSN 1225-0163
E-ISSN 2288-8985

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15권 5호

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수소화물 발생장치와 유도 결합 플라스마 원자화 방출 분광법 이용시 비소와 셀레늄 및 게르마늄의 신호세기에 대한 NaBH4와 HCI의 영향

Effect of NaBH4 and HCI on signal intensity of As,Se,Ge with on-line hydride generation system and E-O-V ICP-AES

분석과학 / Analytical Science and Technology, (P)1225-0163; (E)2288-8985

2002, v.15 no.5, pp.439-444

남상호 (목포대학교)
한성심

남상호, & 한성심. (2002). 수소화물 발생장치와 유도 결합 플라스마 원자화 방출 분광법 이용시 비소와 셀레늄 및 게르마늄의 신호세기에 대한 NaBH4와 HCI의 영향. , 15(5), 439-444.

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초록

이 연구는 E-O-V ICP-AES를 이용하여 As, Se, Ge에 대한 분석적 특성을 PN과 USN, 그리고 HG를 이용하여 비교 조사하였다. 특히 세 가지 원소들의 수소화물 형성을 위한 최적의 조건을 찾기 위하여 <TEX>$NaBH_4$</TEX>와 HCl의 농도 변화에 대한 신호세기의 영향을 면밀히 조사하여 보았다. 수소화물 발생화 장치를 이용하였을 때가 PN과 USN 이용시 보다 세 가지 원소 모두 훨씬 좋은 감도를 얻을 수 있었고, 그 검출한계는 PN 보다는 약 100배, USN 보다는 약 10배 향상시킬 수 있었다.

keywords: hydride generator, end-on-view ICP-AES, PN, USN

Abstract

DE-O-V ICP-AES has been studied for the analytical characteristics of As, Se, and Ge with PN, USN and HG. Effect of <TEX>$NaBH_4$</TEX> and HCl on the signal intensity of As, Se and Ge with HG and E-O-V ICP-AES were closely investigated. The sensitivities of As, Se and Ge with HG were much greater than those with PN and USN. Accordingly, the detection limits of the elements with HG were lower by a factor of 100 and 10 than PN and USN, respectively.

keywords: hydride generator, end-on-view ICP-AES, PN, USN

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수소화물 발생장치와 유도 결합 플라스마 원자화 방출 분광법 이용시 비소와 셀레늄 및 게르마늄의 신호세기에 대한 NaBH4와 HCI의 영향

Effect of NaBH4 and HCI on signal intensity of As,Se,Ge with on-line hydride generation system and E-O-V ICP-AES

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